DMN5L06TK

Версия для печати

Технические характеристики DMN5L06TK

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 50mA, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	280mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	50pF @ 25V
Power - Max	150mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-523
Корпус	SOT-523

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN5L06TK (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN5L06TK datasheet
165.4 Кб