DMN32D2LV

Версия для печати

Технические характеристики DMN32D2LV

FET Type	2 N-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 100mA, 4V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	400mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	39pF @ 3V
Power - Max	400mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-563
Корпус	SOT-563

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN32D2LV (MOSFET)

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN32D2LV datasheet
255.8 Кб