DMN2112SN

Версия для печати

Технические характеристики DMN2112SN

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	220pF @ 10V
Power - Max	500mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SC-59-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DMN2112SN (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

DMN2112SN datasheet
209.7 Кб