CSD86350Q5D
Силовой блок nexfet™
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption |
| Серия | NexFET™ |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 20A, 8V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 40A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1870pF @ 12.5V |
| Power - Max | 13W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.236", 6.00mm Width) |
| Корпус | 8-SON (5x6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
CSD86350Q5D (MOSFET) Силовой блок NexFET™
Производитель:
|
