CSD75301W1015
P-channel – dual common source ciclon nexfet power mosfets
Версия для печати
Технические характеристики CSD75301W1015
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | NexFET™ |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 195pF @ 10V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-UFBGA, DSBGA |
| Корпус | 6-DSBGA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
CSD75301W1015 (MOSFET)
P-Channel – Dual Common Source CICLON NexFET Power MOSFETs
Производитель:
Texas Instruments
|
