CSD25302Q2

Версия для печати

Технические характеристики CSD25302Q2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	NexFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	49 mOhm @ 3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5A
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 10V
Power - Max	2.4W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-SMD, Flat Leads
Корпус	6-SON

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CSD25302Q2 (MOSFET)

P-канальный силовой MOSFET NexFET™

Производитель:
Texas Instruments

CSD25302Q2 datasheet
149.7 Кб