CSD16325Q5C
N-канальный силовой mosfet dualcool™ nexfet™
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption |
| Серия | NexFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 30A, 8V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4000pF @ 12.5V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TDFN Exposed Pad |
| Корпус | 8-SON-EP (5x6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
CSD16325Q5C (MOSFET) N-канальный силовой MOSFET DualCool™ NexFET™
Производитель:
|
