Версия для печати
Технические характеристики BFC233820473

Номинальное напряжение	630 В
Емкость	0.047 мкФ
Серия	MKP 338 2 X2
Корпус (размер)	PIN
Тип монтажа	Выводной
Тип	Пленочный
Производитель	VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Допуск емкости	±20%
Номинальное постоянное напряжение	630 В
Номинальное переменное напряжение	310 В
Диэлектрик	Polypropylene
Размер	10.0x5.0x10.5
Шаг выводов	7.5
Рабочая температура	-55...110 °C
	Interference Suppression Film Capacitors MKP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - AC	310V
Voltage - DC	630V
Dielectric Material	Polypropylene, Metallized
Допустимые отклонения емкости	±20%
Tolerance	±20%
Рабочая температура	-55°C ~ 110°C
Size / Dimension	0.394" L x 0.197" W (10.00mm x 5.00mm)
Высота	0.413" (10.50mm)
Termination	PC Pins
Lead Spacing	0.295" (7.50mm)
Возможности	EMI Suppression

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Пленочные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		6Ф5П		Триод-пентод для работы в блоках кадровой развертки телевизионных устройств широкого ...		41	84.00
		6Ф5П		Триод-пентод для работы в блоках кадровой развертки телевизионных устройств широкого ...	ВИННИЦА
		B32529C105K		Пленочный конденсатор 1 мкФ 63 В	EPCOS
		B32529C105K		Пленочный конденсатор 1 мкФ 63 В	EPCOS Inc
		B32529C105K		Пленочный конденсатор 1 мкФ 63 В
		B32529C105K		Пленочный конденсатор 1 мкФ 63 В	TDK
		B32529C105K		Пленочный конденсатор 1 мкФ 63 В	TDK-EPC
		B32529C105K		Пленочный конденсатор 1 мкФ 63 В	TDK EPCOS	9	23.76
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		18	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	11 644	21.63
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	1 046	10.19
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	9 168	7.84
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS	1 063	25.70
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц		2 400	8.09
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	STMICROELECTRONICS
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MCC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON Semiconductor
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTR
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON SEMIC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS SEMIC
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST1
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRO
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	МИНСК
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	NXP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MULTICOMP
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	CJ
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	HOTTECH
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	TRR
		BD140		Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	JSCJ	1 160	8.26
		OPA2134PA		Двухканальный операционный усилитель 6-36В, 8МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		OPA2134PA		Двухканальный операционный усилитель 6-36В, 8МГц	BURR-BROWN
		OPA2134PA		Двухканальный операционный усилитель 6-36В, 8МГц			229.44
		OPA2134PA		Двухканальный операционный усилитель 6-36В, 8МГц	TEXAS	28	499.27
		OPA2134PA		Двухканальный операционный усилитель 6-36В, 8МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		OPA2134PA		Двухканальный операционный усилитель 6-36В, 8МГц	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		OPA2134PA		Двухканальный операционный усилитель 6-36В, 8МГц	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		OPA2134PA		Двухканальный операционный усилитель 6-36В, 8МГц	TEXAS INSTRUMEN
		OPA2134PA		Двухканальный операционный усилитель 6-36В, 8МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	689

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"