NE3509M04-T2
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
NE3509M04-T2 |
 |
120.00
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики NE3509M04-T2
| Current - Test | 10mA |
| Noise Figure | 0.4dB |
| Current Rating | 60mA |
| Voltage - Test | 2V |
| Gain | 17.5dB |
| Частота | 2GHz |
| Transistor Type | HFET |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Корпус | SOT-343 |
| Корпус (размер) | SC-82A, SOT-343 |
| Номинальное напряжение | 4V |
| Power - Output | 11dBm |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
NE3509M04
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
Также в этом файле:
NE3509M04-T2, NE3509M04-T2-A
Производитель:
California Eastern Labs
|
