FDP3632

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDP3632		328.00

Версия для печати

Технические характеристики FDP3632

Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 80A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6000pF @ 25V
Power - Max	310W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDP3632

N-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FDP3632 datasheet
260.35Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FNR-20K820		FNR	2 059	15.62
FNR-20K820
HIP4082IPZ	ИМС, DIP16	INTERSIL
HIP4082IPZ	ИМС, DIP16
HIP4082IPZ	ИМС, DIP16	RENESAS
HIP4082IPZ	ИМС, DIP16	4-7 НЕДЕЛЬ	624
SMCJ64CA		FAIR
SMCJ64CA		FAIRCHILD
SMCJ64CA		Bourns Inc
SMCJ64CA		Littelfuse Inc
SMCJ64CA		Fairchild Semiconductor
SMCJ64CA		FS8
SMCJ64CA
SMCJ64CA		ONSEMICONDUCTOR
SMCJ64CA		FAIRCHILD
SMCJ64CA		VISHAY
SMCJ64CA		LITTLEFUSE
SMCJ64CA		LTL
SMCJ64CA		TSC
SMCJ64CA		HOTTECH	488	9.35
STGW30NC120HD	N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 1200 в, 30 а семейства powermesh™	ST MICROELECTRONICS
STGW30NC120HD	N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 1200 в, 30 а семейства powermesh™	STMicroelectronics
STGW30NC120HD	N-канальный высокоскоростной igbt-транзистор на 1200 в, 30 а семейства powermesh™