2SC1827
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SC1827 (Дискретные сигналы) Npn Epitaxial Silicon Transistor
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC1983 |
|
Биполярный транзистор | SAMSUNG |
|
|
|||
| 2SC1983 |
|
Биполярный транзистор |
|
53.36 | ||||
| 2SC1984 |
|
Биполярный транзистор | SANKEN |
|
|
|||
| 2SC1984 |
|
Биполярный транзистор | SK |
|
|
|||
| 2SC1984 |
|
Биполярный транзистор |
|
45.48 | ||||
| 2SC1984 |
|
Биполярный транзистор | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| 2SC1984 |
|
Биполярный транзистор | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| 2SC1986 |
|
Биполярный транзистор |
|
45.84 | ||||
 |
 |
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный | 861 | 29.44 | ||
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 1 208 | 28.35 | |
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный | БРЯНСК | 14 513 | 33.60 | |
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
