| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC590N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), счетчик двоичный 8-бит
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC590N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), счетчик двоичный 8-бит
|
|
|
43.84
|
|
|
|
74HC590N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), счетчик двоичный 8-бит
|
КИТАЙ
|
51
|
30.01
|
|
|
|
74HC590N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), счетчик двоичный 8-бит
|
NEX
|
|
|
|
|
|
74HC590N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), счетчик двоичный 8-бит
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
AT29C512-25TI |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
AT29C512-25TI |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AT29C512-25TI |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
CC1206JRNPO9BN220 |
|
Керамический конденсатор 22 пФ 50 В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
|
CC1206JRNPO9BN220 |
|
Керамический конденсатор 22 пФ 50 В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
|
CC1206JRNPO9BN220 |
|
Керамический конденсатор 22 пФ 50 В
|
YAGEO
|
60 025
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
|
CC1206JRNPO9BN220 |
|
Керамический конденсатор 22 пФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
|
390
|
434.32
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SO |
|
Микроконтроллер 8Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz
|
54
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
3 282
|
14.88
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
17.18
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
7.85
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
|
|
|