| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
CDRH2D14NP-2R2NC |
|
Дроссель 2,2мкГн, 1,5А
|
SUMIDA
|
8 256
|
24.28
|
|
|
|
|
CDRH2D14NP-2R2NC |
|
Дроссель 2,2мкГн, 1,5А
|
|
|
80.60
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
3.20
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
66 347
|
1.94
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
17 885
|
5.03
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
388
|
2.16
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
2 482
|
5.41
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
11 812
|
2.38
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
1
|
2.47
|
|
|
|
|
LM2597HVM-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2597HVM-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2597HVM-ADJ |
|
|
|
|
409.36
|
|
|
|
|
LM2597HVM-ADJ |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LM2597HVM-ADJ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
712
|
|
|
|
|
LM56BIM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM56BIM |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM56BIM |
|
|
|
|
156.56
|
|
|
|
LM56BIM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
257
|
|
|
|
|
LM56BIM |
|
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM56BIM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM56BIM |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM56BIM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
667
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
|
|
152.00
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
200
|
|
|