|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.6A, 5.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 900pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF9310PBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF9310PBF | INFINEON |
|
|
|||||
| IRF9310PBF |
|
|
||||||
|
|
LM2675M-5.0 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM2675M-5.0 | NSC |
|
|
||||
|
|
LM2675M-5.0 | 244 | 164.51 | |||||
|
|
LM2675M-5.0 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM2675M-5.0 | ВЕЛИКОБРИТАНИЯ |
|
|
||||
|
|
LM2675M-5.0 | NS |
|
|
||||
|
|
LM2675M-5.0 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM2675M-5.0 | YOUTAI | 1 040 | 132.90 | ||||
|
|
LM2675M-5.0 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 222 |
|
||||
|
|
|
LP3875EMP-3.3/NOPB |
|
National Semiconductor |
|
|
||
| MAX491EESD+ |
|
Трансивер RS-485/422 полнодуплексный, с низким энергопотреблением 5V и ESD-защитой +15кВ | MAXIM | 2 | 600.24 | |||
| MAX491EESD+ |
|
Трансивер RS-485/422 полнодуплексный, с низким энергопотреблением 5V и ESD-защитой +15кВ | MAX |
|
|
|||
| MAX491EESD+ |
|
Трансивер RS-485/422 полнодуплексный, с низким энергопотреблением 5V и ESD-защитой +15кВ | Maxim Integrated Products |
|
|
|||
| MAX491EESD+ |
|
Трансивер RS-485/422 полнодуплексный, с низким энергопотреблением 5V и ESD-защитой +15кВ | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||
| MBI6651GST | MBI |
|
|
|||||
| MBI6651GST |
|
|
||||||
| MBI6651GST | ТАИЛАНД |
|
|
|||||
| MBI6651GST | MACROBLOCK |
|
|
|||||
| MBI6651GST | 4-7 НЕДЕЛЬ | 595 |
|