STP50NE10

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP50NE10		144.76

Версия для печати

Технические характеристики STP50NE10

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	166nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6000pF @ 25V
Power - Max	180W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP50NE10L

N - CHANNEL 100V - 0.020 Ohm - 50A TO-220 STripFETTM POWER MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STP50NE10 datasheet
89.12Kb
8стр.