IRLZ44

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLZ44		90.56

Версия для печати

Технические характеристики IRLZ44

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 31A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	66nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3300pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLZ44A (Полевые МОП транзисторы)

Advanced Power Mosfet

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

IRLZ44 datasheet
455.21Kb
9стр.