IRLL024N
Транзистор полевой SMD
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15.6nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLL024N (N-канальные транзисторные модули) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
AM1/4L-1205D-NZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1/4 Вт, вход 12В±10%,выход ±3,3В 75мА, изоляция 1кВ | AIMTEC |
|
|
|
|
|
|
AM1/4L-1205D-NZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1/4 Вт, вход 12В±10%,выход ±3,3В 75мА, изоляция 1кВ |
|
597.00 | ||
|
|
HCPL-4661-300E |
|
Avago Technologies US Inc |
|
|
|||
|
|
HCPL-4661-300E |
|
BROADCOM |
|
|
|||
|
|
HCPL-4661-300E |
|
|
|
||||
 |
|
ICL7667CPA | ITL/HAR |
|
|
|||
|
|
|
ICL7667CPA | ITL |
|
|
|||
|
|
|
ICL7667CPA | MAXIM |
|
|
|||
|
|
|
ICL7667CPA | INTERSIL |
|
|
|||
|
|
|
ICL7667CPA | 4 | 434.75 | ||||
|
|
|
ICL7667CPA | Maxim Integrated Products |
|
|
|||
|
|
|
ICL7667CPA | КИТАЙ |
|
|
|||
|
|
|
ICL7667CPA | MAXIM | 3 |
|
|||
|
|
|
ICL7667CPA | MAX |
|
|
|||
|
|
|
ICL7667CPA | 4-7 НЕДЕЛЬ | 680 |
|
|||
 |
|
L-7113SRD-F |
|
Единичный светодиод | KB |
|
|
|
|
|
|
L-7113SRD-F |
|
Единичный светодиод | KINGBRIGHT |
|
|
|
|
|
|
L-7113SRD-F |
|
Единичный светодиод |
|
21.00 | ||
|
|
|
L-7113SRD-F |
|
Единичный светодиод | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
L-7113SRD-F |
|
Единичный светодиод | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
MC78M05ABDTG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MC78M05ABDTG | ONS |
|
|
||||
|
|
MC78M05ABDTG |
|
39.44 | |||||
|
|
MC78M05ABDTG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MC78M05ABDTG | 4-7 НЕДЕЛЬ | 65 |
|
