IRL530N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRL530N	1	218.30

Версия для печати

Технические характеристики IRL530N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	34nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	800pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL530NS

100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package

Также в этом файле: IRL530NL, IRL530NSTRL, IRL530NSTRR

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRL530N datasheet
178.23Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SRR1208-330YL	Индуктивность экранированная 33мкГн SMD	BOURNS	44	134.02
SRR1208-330YL	Индуктивность экранированная 33мкГн SMD			172.00
SRR1208-330YL	Индуктивность экранированная 33мкГн SMD	Bourns Inc
SRR1208-330YL	Индуктивность экранированная 33мкГн SMD	ВОURNS