|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 78A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 130A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5330pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRL1004S (N-канальные транзисторные модули) 40V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL1004STRL, IRL1004STRR
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СМАЗКА ДЕМПФЕРНАЯ, 3 Г. |
|
78.00 | ||||||
| СМАЗКА СИЛИКОНОВАЯ MITSHUBISHI, 5 Г. |
|
78.00 |