IRG4PH30K
Транзистор IGBT модуль единичный N канальный 1200В, 20А, 100Вт
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.2V @ 15V, 10A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
| Power - Max | 100W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PH30KD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE (Vces=1200V, Vce (on) typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
Производитель:
|
