IRFZ44NS
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5mOhm(max), P=94W, -55 to +175C).
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 49A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1470pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFZ44NS N-channel Enhancement Mode Trenchmos Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CF-0.25-620 5% |
|
Резистор углеродистый | CHINA |
|
|
|||
| CF-0.25-620 5% |
|
Резистор углеродистый |
|
1.32 >500 шт. 0.44 |
||||
| CF-0.25-620K 5% |
|
Резистор углеродистый | CHINA |
|
|
|||
| CF-0.25-620K 5% |
|
Резистор углеродистый |
|
0.84 >500 шт. 0.28 |
||||
| FDC6506P | FAIR |
|
|
|||||
| FDC6506P |
|
87.92 | ||||||
| FDC6506P | FSC |
|
|
|||||
| FDC6506P | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| FDC6506P | FAIRCHILD | 253 |
|
|||||
| FDC6506P | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| FDC6506P | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
 |
TL431 SOP-8 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A | UTC |
|
|
|
|
|
|
TL431 SOP-8 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A |
|
|
||
|
|
|
TL431 SOP-8 |
|
SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 74 |
|
|
| КОРПУС ДЛЯ РЭА G 431 | GAINTA |
|
|
|||||
| КОРПУС ДЛЯ РЭА G 431 |
|
|
||||||
| КОРПУС ДЛЯ РЭА G 431 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| КОРПУС ДЛЯ РЭА G 431 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
