IRFR9014
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFx901x P-CHANNEL POWER MOSFETS Также в этом файле: IRFR9014
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC1969 |
|
Биполярный транзистор NPN VHF, P=20W(Pin=1W/27MHz, Vcc=12V) |
|
1 190.84 | ||
|
|
|
2SC1969 |
|
Биполярный транзистор NPN VHF, P=20W(Pin=1W/27MHz, Vcc=12V) | MITSUBISHI |
|
|
|
|
|
|
2SC1969 |
|
Биполярный транзистор NPN VHF, P=20W(Pin=1W/27MHz, Vcc=12V) | MATSUSHITA |
|
|
|
|
|
|
2SC1969 |
|
Биполярный транзистор NPN VHF, P=20W(Pin=1W/27MHz, Vcc=12V) | MIT |
|
|
|
|
|
|
2SC1969 |
|
Биполярный транзистор NPN VHF, P=20W(Pin=1W/27MHz, Vcc=12V) | MITSUBISHI ELEC |
|
|
|
|
|
|
2SC1969 |
|
Биполярный транзистор NPN VHF, P=20W(Pin=1W/27MHz, Vcc=12V) | ISCSEMI |
|
|
|
| 564 ЛЕ5 | RUS |
|
|
|||||
 |
|
КД 510 А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс | RUS |
|
|
|
| КП505Г | 412 | 9.20 | ||||||
| КП505Г | МИНСК | 602 | 25.20 | |||||
| КП505Г | ИНТЕГРАЛ | 400 | 18.90 | |||||
 |
|
КС 515 А |
|
Стабилитрон кремниевый, планарный средней мощности для стабилизации номинального ... | RUS |
|
|
