Версия для печати
Технические характеристики IRFR1205

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	44A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	107W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

IRFR1205 55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFR1205 datasheet 146.29Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CC0805KRX7R9BB103		Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805	YAGEO	839 020	1.62
		CC0805KRX7R9BB103		Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805	PHYCOMP
		CC0805KRX7R9BB103		Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805	PHYCOMP
		CC0805KRX7R9BB103		Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805	YAGEO
		CC0805KRX7R9BB103		Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC0805KRX7R9BB103		Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC0805KRX7R9BB103		Керамический ЧИП конденсатор 0.01 мкФ, X7R, 10%, 0805			3.28
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...		3 400	22.86
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	6
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INFINEON
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	IR/VISHAY
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	SLKOR	4 419	45.07
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	JSMICRO	3 584	28.76
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	EVVO	4 223	27.34
		L1085D			NIKO SEMICONDUCTOR
		L1085D			NIKO SEMICONDUCTOR	3 343
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A		112	24.18
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	200
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS
		MC79L05ACDR		Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	4-7 НЕДЕЛЬ	211
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		307	11.78
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	880	17.18
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	14.88
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 096	14.88
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	7.85
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"