Версия для печати
Технические характеристики IRFPC40

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 4.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFPC40 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=600v, Rds (on) =1.2ohm, Id=6.8a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFPC40 datasheet 171.7Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1206-3.83КF			FAITHFUL LINK
		IRFPC50		Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFPC50		Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W	VISHAY
		IRFPC50		Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W		1	812.70
		IRFPC50		Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W	Vishay/Siliconix
		IRFPC50		Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W	КИТАЙ
		IRFPC50		Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W	1
		SWR-46(13-KN2-2)			JIA
		SWR-46(13-KN2-2)			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SWR-46(13-KN2-2)			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс		9 608	7.36
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 1
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ЦВЕТОТРОН	15 216	13.58
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	СЗТП	800	17.96
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	МИНСК
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	П/П 2
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	РОССИЯ
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	ОРБИТА	2 080	21.70
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КД510А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	20
		КР1162ЕН12Б				316	12.64
		КР1162ЕН12Б			КРЕМНИЙ	80	69.49
		КР1162ЕН12Б			БРЯНСК	6	26.85
		КР1162ЕН12Б			8

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"