IRFI630G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFI630G		103.76

Версия для печати

Технические характеристики IRFI630G

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 3.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	43nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	800pF @ 25V
Power - Max	35W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack, Isolated
Корпус	TO-220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFI630G (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.40ohm, Id=5.9A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFI630G datasheet
179.92Kb
6стр.