IRF9530N


P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт

IRF9530N цена 106.19 руб.  (без НДС 20%)
IRF9530N P-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС
IRF9530N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 52 106.19 
IRF9530N 8 110.88 
IRF9530NPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 39 3-4 недели
Цена по запросу

P-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики транзистора IRF9530N:
Максимальный ток стока  14А
Максимальное напряжение сток-исток         100В
Сопротивление сток-исток (откр.)           < 0.2Ом
Максимальная мощность рассеивания          79Вт
Допустимое напряжение на затворе          +/-20В
Пороговое напряжение на затворе     - 2 ...-4V
Ток утечки затвора              < 0.1 мкА
Ток утечки стока (закр.)         < 25 мкА
Время включения/выключения         15/45нс(тип.)
Время восстановления диода           130нс (тип.)
Входная/выходная ёмкость        760/260пФ
Корпус TO-220
Диапазон рабочих температур  - 55..+175oC

Технические характеристики IRF9530N

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs200 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C14A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds760pF @ 25V
Power - Max3.8W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-262-3 (Straight Leads)
КорпусTO-262
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru