IRF7425
Транзистор полевой SMD P-MOSFET 20В 14A RDS=0,008
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 15A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 15A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7980pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7425 20V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
0805-51.0K 1% |
|
ЧИП — резистор 51кОм, 1%, 0805 | 2 403 | 1.24 | ||
| 0805-68.0К 5% |
|
ЧИП — резистор |
|
1.20 >500 шт. 0.40 |
||||
 |
|
1206-1.0K 1% |
|
ЧИП - резистор 1кОм, 1%, 0.25Вт |
|
1.60 >100 шт. 0.80 |
||
| 1206-4.7M 1% |
|
ЧИП — резистор |
|
1.44 >500 шт. 0.48 |
||||
| 1206-5.1M 1% |
|
ЧИП — резистор | 112 |
1.44 >500 шт. 0.48 |
