| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1206-NP0-50-1000ПФJ |
|
|
HITANO
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DC COMPONENTS
|
246 500
|
1.16
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIOTEC
|
9 721
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
|
42 114
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
TSC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YJ
|
646 176
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
HOTTECH
|
292 700
|
0.96
>500 шт. 0.32
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KLS
|
16 000
|
2.07
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSCJ
|
85 497
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MDD
|
125 982
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSMICRO
|
35 643
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
XXW
|
2 634
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KEEN SIDE
|
318
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MERRYELC
|
518
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ST MICROELECTRONICS
|
64
|
1.07
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
|
56.16
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FSC
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
759
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 927
|
13.89
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
|
1 600
|
14.87
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
64
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
|
TL074CDT |
|
4xOP JFET +-18V LN 13V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
550
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
|
711
|
33.12
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
1 568
|
32.79
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
10 065
|
38.16
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
РАДИОДЕТ
|
152
|
26.95
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
157
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
5643
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
6882
|
|
|
|