Версия для печати
Технические характеристики IRF630N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	575pF @ 25V
Power - Max	82W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

IRF630N (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.30ohm, Id=9.3A) Также в этом файле: IRF630NL, IRF630NS Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF630N datasheet 155.06Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF2807		Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	132.30
		IRF2807		Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R		1	202.86
		IRF2807		Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF2807		Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	КИТАЙ
		IRF2807		Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R	INFINEON
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	58.59
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	RECTIFIER
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	VISHAY
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERSIL
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ST MICROELECTRONICS	384	86.68
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт			43.12
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERSIL	7
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	STMicroelectronics
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	Vishay/Siliconix
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ФИЛИППИНЫ
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	MOTOROLA
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ST MICROELECTRO
		LM2575D2T-12			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2575D2T-12			ON SEMICONDUCTOR
		LM2575D2T-12			ONS
		LM2575D2T-12					171.80
		LM2575D2T-12			ON SEMICONDUCTOR
		LM2575D2T-12			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		LM2575D2T-12			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		LM2575D2T-12			4-7 НЕДЕЛЬ	712
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ST MICROELECTRONICS	1 206	33.54
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.			42.28
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ST MICROELECTRONICS SEMI	24
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	STMicroelectronics
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ON Semiconductor
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	КИТАЙ
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ST MICROELECTRO
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	STMICROELECTR
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ONS-FAIR
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	4-7 НЕДЕЛЬ	262
		КР1211ЕУ1		Двухтактный контроллер ЭПРА		366	1 288.00
		КР1211ЕУ1		Двухтактный контроллер ЭПРА	ДОДЭКА
		КР1211ЕУ1		Двухтактный контроллер ЭПРА	ДОДЕКА	40	1 815.00
		КР1211ЕУ1		Двухтактный контроллер ЭПРА	---
		КР1211ЕУ1		Двухтактный контроллер ЭПРА	RUS
		КР1211ЕУ1		Двухтактный контроллер ЭПРА	НТЦ СИТ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"