![]() |
Транзистор полевой N-Канальный |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 5.7A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.7A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 330pF @ 25V |
Power - Max | 48W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRF520NS (N-канальные транзисторные модули) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF520NL
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CBB-81 5600PF 1600 V 5% |
![]() |
![]() |
||||||
CBB-81 6800PF 1600 V 5% |
![]() |
![]() |
||||||
KS9801 | SAMSUNG |
![]() |
![]() |
|||||
KS9801 | SAM |
![]() |
![]() |
|||||
KS9801 |
![]() |
![]() |
||||||
KS9801 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 62 |
![]() |
|||||
![]() |
UC2842BD1 | ST MICROELECTRONICS |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
UC2842BD1 | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
UC2842BD1 |
![]() |
67.44 | |||||
![]() |
UC2842BD1 | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
UC2842BD1 | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
UC2842BD1 | МАРОККО |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
UC2842BD1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 93 |
![]() |
||||
КС182А ПЛ |
![]() |
![]() |
||||||
КС182А ПЛ | САРАНСК |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|