IRF1404S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF1404S		185.96

Версия для печати

Технические характеристики IRF1404S

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 95A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	162A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7360pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF1404S (Дискретные сигналы)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF1404S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF1404S datasheet
306.93Kb
10стр.