BC858CDW

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC858CDW	6	7.56

Версия для печати

Технические характеристики BC858CDW

Корпус	SOT-363
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	380mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	420 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	2 PNP (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC858BDW1T1

Dual General Purpose Transistors PNP Duals

Также в этом файле: BC858CDW1T1

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

BC858CDW datasheet
109.8Kb
6стр.