2SD1330
Биполярный транзистор
|
|
| Корпус | M-A1 |
| Корпус (размер) | M-Type |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Power - Max | 600mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru