2SA1162

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SA1162	21	15.12

Версия для печати

Технические характеристики 2SA1162

Frequency - Transition	80MHz
Power - Max	150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	S-Mini (2.9x2.5)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SA1162 (Интегральные схемы)

Transistor (audio Frequency General Purpose Amplifier Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SA1162 datasheet
137.68Kb
2стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF3205	Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205	Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...		8	74.00
IRF3205	Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	ФИЛИППИНЫ
IRF3205	Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INFINEON
IRF3205	Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	1
IRF3205	Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	YOUTAI
IRF3205	Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	JSMICRO	1 684	31.85