| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
3 681
|
56.70
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
1 221
|
63.60
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
174
|
77.60
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
1527
|
|
|
|
|
|
|
L-53HD |
|
Единичный светодиод 5мм, красный, диффуз.
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
L-53HD |
|
Единичный светодиод 5мм, красный, диффуз.
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
L-53HD |
|
Единичный светодиод 5мм, красный, диффуз.
|
KGB
|
|
|
|
|
|
|
L-53HD |
|
Единичный светодиод 5мм, красный, диффуз.
|
|
|
6.68
|
|
|
|
|
L-53YD |
|
Единичный светодиод 5мм, желтый, диффуз.
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
L-53YD |
|
Единичный светодиод 5мм, желтый, диффуз.
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
L-53YD |
|
Единичный светодиод 5мм, желтый, диффуз.
|
|
233
|
14.80
|
|
|
|
|
L-53YD |
|
Единичный светодиод 5мм, желтый, диффуз.
|
KGB
|
3 868
|
5.98
|
|
|
|
|
ST13009 |
|
Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
ST13009 |
|
Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS
|
|
|
74.80
|
|
|
|
|
ST13009 |
|
Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
ST13009 |
|
Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
ST13009 |
|
Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
|
27
|
425.50
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
48
|
858.88
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
497
|
466.40
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ818ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP
|
624
|
|
|
|
Версия для печати
