|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC14D,653 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
74HC14D,653 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC14D,653 |
|
|
NEX
|
32 961
|
11.33
|
|
|
|
74HC14D,653 |
|
|
|
6 936
|
7.17
|
|
|
|
74HC14D,653 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC14D,653 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC14D,653 |
|
|
NEX-NXP
|
2 640
|
15.50
|
|
|
|
74HC14D,653 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC14D,653 |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
20 284
|
2.02
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
8
|
2.10
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 404
|
1.88
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
110 357
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
646
|
1.10
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
51 033
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 920
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.65
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
127 156
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
36 637
|
2.92
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
330 233
|
1.22
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
374
|
1.26
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
38 436
|
1.32
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.02
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
48 412
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
L-1344GT |
|
Единичный светодиод
|
KB
|
|
|
|
|
|
L-1344GT |
|
Единичный светодиод
|
KINGBRIGHT
|
6 627
|
13.07
|
|
|
|
L-1344GT |
|
Единичный светодиод
|
|
|
8.36
|
|
|
|
L-1344GT |
|
Единичный светодиод
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
L-1344GT |
|
Единичный светодиод
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L-1344GT |
|
Единичный светодиод
|
KGB
|
13 345
|
8.83
|
|
|
|
L-1344GT |
|
Единичный светодиод
|
KBRT
|
|
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
9 718
|
41.58
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
6
|
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
|
3 859
|
56.70
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
489
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
1 200
|
13.62
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
2 143
|
14.52
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
2 740
|
16.80
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
1 014
|
15.75
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|