HCPL-316J

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
HCPL-316J		558.12

Версия для печати

Технические характеристики HCPL-316J

Корпус	16-SO
Корпус (размер)	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 100°C
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Число выходов	1
Число конфигураций	1
Ток пиковое значение	2.5A
Время задержки	300ns
Тип входа	Differential
Конфигурация	High-Side
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HCPL-316J

2.0 Amp Gate Drive Optocoupler with Integrated (VCE) Desaturation Detection and Fault Status Feedback

Производитель:
Agilent Technologies
//www.agilent.com

HCPL-316J datasheet
614.28Kb
33стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
52271-0469		MOLEX
52271-0469		MOLEX
52271-0469		MOL
52271-0469		Molex Inc
IDC2.0-20F		AUK
IDC2.0-20F				56.80
IDC2.0-20F		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
IDC2.0-20F		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
IDC2.0-20F		KLS
IDC2.0-20M		AUK
IDC2.0-20M				31.24
IDC2.0-20M		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
IDC2.0-20M		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
IDC2.0-20M		KLS
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ON SEMICONDUCTOR
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ONS	136	237.64
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт		10	79.38
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ON SEMICONDUCTOR
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	МАЛАЙЗИЯ
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ON SEMIC
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ON SEMICONDUCTO
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ONSEMICONDUCTOR
MJD44H11G	Транзистор биполярный NPN, 80В, 8А, 50МГц, 20Вт	ONSEMI
PTR6100PA		XUNTONG
PTR6100PA				8 856.00