TDA1013B

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
TDA1013B	216	120.25
TDA1013B (4-7 НЕДЕЛЬ)	704	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики TDA1013B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

TDA1013B (Аудио-усилители)

4 W Audio Power Amplifier With Dc Volume Control

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

TDA1013B datasheet
115.43Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	NXP
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт			34.40
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
BF998	Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	КИТАЙ
MMBFJ310		FAIR
MMBFJ310		FAIRCHILD
MMBFJ310		FAIRCHILD
MMBFJ310		Fairchild Semiconductor
MMBFJ310
MMBFJ310		FSC
MMBFJ310		ONS
MMBFJ310		ONS-FAIR
TES 1-1211	DC/DC, 1Вт, вход 10,8:13,2В, выход 5В/200мА, изоляция 1500В DC,корпус SMD 13,7х7х8мм, ...	TRACO	63	697.21
TES 1-1211	DC/DC, 1Вт, вход 10,8:13,2В, выход 5В/200мА, изоляция 1500В DC,корпус SMD 13,7х7х8мм, ...
КС591 (СТЕКЛО)
КТ315Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...		1 964	18.90
КТ315Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...	МИНСК