![]() |
|
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 4 V ~ 36 V, ±2 V ~ 18 V |
Ток выходной / канал | 35mA |
Ток выходной | 790µA |
Напряжение входного смещения | 20µV |
Ток - входного смещения | 500pA |
Полоса пропускания | 1MHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 0.8 V/µs |
Число каналов | 2 |
Тип усилителя | General Purpose |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
OPA2277 High Precision OPERATIONAL AMPLIFIERS Также в этом файле: OPA2277UA
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2РМДТ27КПЭ19Ш5В1В | 82 | 2 405.00 | |||||
![]() |
2РМДТ27КПЭ19Ш5В1В | ЭЛЕКОН | 19 | 5 397.84 | ||||
![]() |
2РМДТ27КПЭ19Ш5В1В | ИСЕТЬ |
![]() |
![]() |
||||
ВП2Б-1В 8 А | РАДИОДЕТАЛЬ | 1 360 | 47.84 | |||||
![]() |
![]() |
КТ815А |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ... | 80 | 31.28 | ||
![]() |
![]() |
КТ815А |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ... | КРЕМНИЙ | 1 592 | 26.46 | |
![]() |
![]() |
КТ815А |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ... | БРЯНСК | 1 555 | 37.80 | |
![]() |
![]() |
КТ815А |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ... | МИНСК |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ815А |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ... | ИНТЕГРАЛ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ815А |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ... | ТРАНЗИСТОР |
![]() |
![]() |
|
С2-33Н-0,5-2 КОМ-5% |
![]() |
![]() |
||||||
ФМ2-Б | 98 | 230.00 |
|
Корзина
|