Версия для печати
Технические характеристики NE5517AN

Корпус	16-PDIP
Корпус (размер)	16-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V
Ток выходной / канал	650µA
Ток выходной	2.6mA
Напряжение входного смещения	400µV
Ток - входного смещения	400nA
Полоса пропускания	2MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	50 V/µs
Число каналов	2
Тип выхода	Push-Pull
Тип усилителя	Transconductance
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Product Change Notification	Discontinuance 11/Feb/2009
Output Type	Push-Pull

NE5517A (Широкополосные операционные усилители типа andquot;ОТАandquot;) Dual operational transconductance amplifier Также в этом файле: NE5517AN, NE5517AN Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com NE5517AN datasheet 193.88Kb 18стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM13600N			NS
		LM13600N			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM13600N
		LM13600N			4-7 НЕДЕЛЬ	92

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD	946
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	OTHER
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN	114
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	Fairchild Semiconductor
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS-FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS	3 620	1.89
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
		BX-4112		Макетная плата для сборки и моделирования электрических схем. Кол. отверстий: 840. ...	PROSKIT
		BX-4112		Макетная плата для сборки и моделирования электрических схем. Кол. отверстий: 840. ...			880.00
		GBU808			Diodes Inc
		GBU808
		GBU808			YT
		GBU808			DIODES
		IRF640FP			STMicroelectronics
		IRF640FP
		PIC18F452-I/P		16Kx16 Flash 34I/O 40MHz	MICRO CHIP	181	1 349.92
		PIC18F452-I/P		16Kx16 Flash 34I/O 40MHz			650.52
		PIC18F452-I/P		16Kx16 Flash 34I/O 40MHz	Microchip Technology
		PIC18F452-I/P		16Kx16 Flash 34I/O 40MHz	ТАИЛАНД
		PIC18F452-I/P		16Kx16 Flash 34I/O 40MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	556

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"