| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
LM833N |
|
2х канальный операционный усилитель
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM833N |
|
2х канальный операционный усилитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM833N |
|
2х канальный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM833N |
|
2х канальный операционный усилитель
|
|
|
53.88
|
|
|
|
|
LM833N |
|
2х канальный операционный усилитель
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM833N |
|
2х канальный операционный усилитель
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM833N |
|
2х канальный операционный усилитель
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LM833N |
|
2х канальный операционный усилитель
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM833N |
|
2х канальный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM833N |
|
2х канальный операционный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
594
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
JRC
|
694
|
25.60
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
|
4
|
68.04
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
JRC
|
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
NJR
|
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
NJM4580D |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
789
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
8 268
|
7.36
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
15 216
|
13.58
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
17.96
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
2 400
|
21.70
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
20
|
|
|
|
Версия для печати
