K6X1008C2D-BF55
SRAM 128K x 8, 5.0V
|
|
Версия для печати
| Производитель | SAMSUNG ELECTRONICS |
| Количество в упаковке | 1000 шт. |
| Вес | 1.820 г |
| Объём памяти | 1024 kbit |
| Cell Resistance @ Illuminance | 128x8 |
| Center / Cutoff Frequency | 55 нс |
| Напряжение питания | 4.5…5.5 В |
| Корпус (размер) | SOP32-525 |
| Рабочая температура | -40...85 °C |
| Температура хранения | -65...150 °C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
K6X1008C2D (Маломощная SRAM (1 Мб)) 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM Также в этом файле: K6X1008C2D-BF55, K6X1008C2D-BF551
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MF-2 0.56 5% |
|
|
||||||
| MF-2 0.82 5% |
|
|
||||||
| MF-2 1.3 5% |
|
|
||||||
| MF-2-0.12 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA |
|
|
|||
| MF-2-0.12 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический |
|
7.20 |
