BA6137
Измер.уровня светодиодн.логарфм.масшт. 5точек Uпит=6В
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА |
|
4.80 | ||
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА | ЭЛЕКС |
|
|
|
| ДМ-0,1-100 МКГН-5% | 27 239 | 3.70 | ||||||
 |
КТ312В | 98 | 98.38 | |||||
|
|
КТ312В | ГРАВИТОН |
|
|
||||
|
|
КТ312В | ВОРОНЕЖ | 112 | 53.00 | ||||
|
|
КТ312В | DJHJYT; |
|
|
||||
 |
|
КТ610А |
|
Транзистор структуры NPN усилительный | 2 | 555.00 | ||
|
|
|
КТ610А |
|
Транзистор структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ610А |
|
Транзистор структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
КТ610А |
|
Транзистор структуры NPN усилительный | НУКЛОНАС |
|
|
|
 |
КТ922В | 4 | 1 480.00 | |||||
|
|
КТ922В | ВЗПП | 40 | 1 003.33 | ||||
|
|
КТ922В | ВОРОНЕЖ |
|
|
