| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DB103 |
|
Диодные мосты 1A 200V
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DB103 |
|
Диодные мосты 1A 200V
|
DC COMPONENTS
|
11 512
|
4.18
|
|
|
|
DB103 |
|
Диодные мосты 1A 200V
|
|
|
34.00
|
|
|
|
DB103 |
|
Диодные мосты 1A 200V
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
DB103 |
|
Диодные мосты 1A 200V
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DB103 |
|
Диодные мосты 1A 200V
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
DB103 |
|
Диодные мосты 1A 200V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB103 |
|
Диодные мосты 1A 200V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
|
15.88
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
53 287
|
1.92
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
24
|
6.22
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
3
|
2.60
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
PLINGSEMIC
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
2759
|
|
|
|
|
|
|
LL-16-100 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
TREC
|
|
|
|
|
|
|
LL-16-100 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
|
|
5.00
|
|
|
|
|
LL-16-100 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 16 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PR03000201300JAC00 |
|
|
Vishay/BC Components
|
|
|
|
|
|
PR03000201300JAC00 |
|
|
VISHAY
|
312
|
36.62
|
|
|
|
PR03000201300JAC00 |
|
|
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
|
16 176
|
10.61
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
9 002
|
15.50
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
128
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
1013
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...
|
264
|
|
|
|