|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
|
|
13.32
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
JCET
|
|
|
|
|
|
2SA1013 |
|
Биполярный транзистор PNP 160V, 1A, 0.9W, 15MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
CA025M4R70REB-0405 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 25 В
|
YAGEO
|
41 561
|
1.40
|
|
|
|
CA025M4R70REB-0405 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 25 В
|
|
|
3.60
|
|
|
|
CA025M4R70REB-0405 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
6 614
|
11.79
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
2 608
|
3.41
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
154 620
|
4.55
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
22.68
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
4 437
|
10.33
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
633
|
4.84
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
151 023
|
3.73
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
20 576
|
5.12
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
8
|
2.58
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
5.87
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
280
|
8.57
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
46 141
|
1.66
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
26 400
|
2.43
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
38 400
|
2.43
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
45 880
|
3.40
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
7.27
|
|
|
|
SH200M1R00BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ 200 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SH200M1R00BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ 200 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SH200M1R00BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1 мкФ 200 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
|
9
|
138.75
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
PI
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
POWER INTEGRATI
|
|
|
|
|
|
TNY266GN |
|
Микросхема импульсный преобраз. энергии
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
32
|
|
|