Версия для печати
Технические характеристики GA-25-2200

Номинальное напряжение	25 В
Емкость	2200 мкФ
Серия	GA
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

Синонимы от поставщиков: GA-25-2200 ; GA-25 ; GA 25 ; GA — 25 ; GA25 ; конденсатор GA-25 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		7812C		Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C		1	18.96
		7812C		Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	КРЕМНИЙ
		7812C		Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	ANK
		7812C		Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	БРЯНСК
		7812C		Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	ВОРОНЕЖ
		7812C		Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C	4-7 НЕДЕЛЬ	168
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		4 204	12.92
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	105	16.80
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	784	9.94
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	10 328	5.87
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.00
		BD435		NPN 32V 4A 36W	ST MICROELECTRONICS
		BD435		NPN 32V 4A 36W	MOTOROLA
		BD435		NPN 32V 4A 36W	ON SEMICONDUCTOR
		BD435		NPN 32V 4A 36W	SGS
		BD435		NPN 32V 4A 36W	MOTOROLA
		BD435		NPN 32V 4A 36W	ON SEMICONDUCTOR
		BD435		NPN 32V 4A 36W	SGS THOMSON
		BD435		NPN 32V 4A 36W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD435		NPN 32V 4A 36W	STMicroelectronics
		BD435		NPN 32V 4A 36W		4	49.14
		BD435		NPN 32V 4A 36W	1
		GA-25-100		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В	TREC
		GA-25-100		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В			13.76
		GA-25-100		Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В	КИТАЙ
		SJ010M2200B5S-1022		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10 В	YAGEO
		SJ010M2200B5S-1022		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SJ010M2200B5S-1022		Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"