Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 10A |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Average Rectified (Io) | 10A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 45V |
Diode Type | Schottky |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-2 |
Корпус | TO-220AC |
Capacitance @ Vr, F | 400pF @ 4V, 1MHz |
Product Change Notification | LTB Notification 08/Jan/2008 |
Серия | SWITCHMODE™ |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
|
15 506
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
80
|
4.91
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
EIC
|
275
|
1.74
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
24
|
2.07
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
6 662
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
KLS
|
10 800
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
SEMTECH
|
1 671
|
1.23
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GEMBIRD
|
25 016
|
1.05
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
|
|
170.24
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
694
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
|
|
154.24
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
CMOS
|
204
|
82.13
|
|
|
|
IRF4905S |
|
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SMD с обратным диодом для работы в ключевом режиме
|
EVVO
|
2 912
|
31.39
|
|
|
|
IRL2203NS |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRL2203NS |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
265.76
|
|
|
|
IRL2203NS |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRL2203NS |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRL2203NS |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MF-0.25 20 5% |
|
|
|
|
|
|