| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
1 146
|
5.13
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
17 452
|
3.28
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
47 574
|
3.99
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
124
|
2.68
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
2 319
|
7.44
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
295
|
1.50
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
24 800
|
2.36
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
2 412
|
1.26
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST/YJ
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
10
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
68
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
876
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
98
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
542
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RUME
|
1 912
|
1.25
|
|
|
|
ATMEGA8L-8PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8L-8PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
|
|
154.64
|
|
|
|
ATMEGA8L-8PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8L-8PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8L-8PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
8
|
571.17
|
|
|
|
ATMEGA8L-8PU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
143
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1 031
|
35.80
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
|
684
|
79.98
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
YOUTAI
|
6 153
|
25.03
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
WS
|
|
|
|
|
|
KA-3528SURC |
|
SMD светодиод 328нм,110мКд,120гр., 1310
|
KB
|
|
|
|
|
|
KA-3528SURC |
|
SMD светодиод 328нм,110мКд,120гр., 1310
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
KA-3528SURC |
|
SMD светодиод 328нм,110мКд,120гр., 1310
|
|
|
13.60
|
|
|
|
KA-3528SURC |
|
SMD светодиод 328нм,110мКд,120гр., 1310
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KA-3528SURC |
|
SMD светодиод 328нм,110мКд,120гр., 1310
|
KGB
|
11 949
|
22.47
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
34.36
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
5 793
|
14.75
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|