|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LA7876N |
|
TV/CRT кадpовая pазвеpтка (110V, Ipp=3.0A), Up x3
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
LA7876N |
|
TV/CRT кадpовая pазвеpтка (110V, Ipp=3.0A), Up x3
|
|
|
449.20
|
|
|
|
LA7876N |
|
TV/CRT кадpовая pазвеpтка (110V, Ipp=3.0A), Up x3
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
664
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
|
|
8.40
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
AUK
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
ZHEN
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
KLS
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
SCS-8 (2.54MM) |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
СВЕРЛО 1.0 ММ |
|
|
|
|
45.20
|
|