|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
|
87
|
69.92
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
СЗТП
|
4
|
325.08
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД2999Б |
|
|
|
12
|
70.30
|
|
|
|
КД2999Б |
|
|
ФОТОН
|
10
|
84.00
|
|
|
|
КД2999Б |
|
|
СЗТП
|
8
|
343.98
|
|
|
|
КД2999Б |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КД2999В |
|
|
|
721
|
44.16
|
|
|
|
КД2999В |
|
|
ФОТОН
|
4
|
52.92
|
|
|
|
КД2999В |
|
|
СЗТП
|
8
|
306.18
|
|
|
|
КД2999В |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
|
941
|
117.18
|
|
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
35 831
|
21.00
|
|
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
|
|
38.64
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|