| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
|
20
|
83.25
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
СЗТП
|
4
|
351.36
|
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД2999Б |
|
|
|
12
|
70.30
|
|
|
|
|
КД2999Б |
|
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КД2999Б |
|
|
СЗТП
|
26
|
441.15
|
|
|
|
|
КД2999Б |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД2999Б |
|
|
13
|
|
|
|
|
|
|
КД2999В |
|
|
|
608
|
44.16
|
|
|
|
|
КД2999В |
|
|
ФОТОН
|
4
|
57.78
|
|
|
|
|
КД2999В |
|
|
СЗТП
|
8
|
331.84
|
|
|
|
|
КД2999В |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
|
674
|
144.45
|
|
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
34 978
|
21.20
|
|
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
|
|
38.64
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КП303И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный полевой затвор на основе PN ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|